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IXFH110N15T2
Fig. 7. Input Admittance
Fig. 8. Transconductance
160
140
180
160
T J = - 40oC
120
100
80
T J = 150oC
25oC
- 40oC
140
120
100
25oC
150oC
80
60
40
20
0
60
40
20
0
3.4
3.8
4.2
4.6
5.0
5.4
5.8
6.2
6.6
0
20
40
60
80
100
120
140
160
350
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
300
250
200
150
9
8
7
6
5
4
V DS = 75V
I D = 55A
I G = 10mA
100
50
0
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
0
20
40
60
80
100
120
140
160
100,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1,000.0
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
10,000
100.0
25μs
Ciss
100μs
1,000
Coss
10.0
1ms
100
Crss
1.0
T J = 175oC
T C = 25oC
100ms
10ms
Single Pulse
10
0.1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V DS - Volts
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: F_110N15T2(61)12-17-08
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